Photoresist polymers, and photoresist compositions using the polymer are
disclosed. More specifically, photoresist polymers containing maleimide
represented by Formula 1. Photoresist compositions including the
photoresist polymers have excellent etching resistance, heat resistance
and adhesiveness, and development ability in aqueous tetramethylammonium
hydroxide (TMAH) solution. As the compositions have low light absorbance
at 193 nm and 157 nm wavelength, they are suitable for a process using
ultraviolet light source such as VUV (157 nm).
##STR1##
wherein, 1, R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3, R, R', R", R"', X, a and b are
defined in the specification.
Se divulgan los polímeros del photoresist, y las composiciones del photoresist que usan el polímero. Más específicamente, polímeros del photoresist que contienen el maleimide representado por Formula 1. Las composiciones del photoresist incluyendo los polímeros del photoresist tienen resistencia excelente de la aguafuerte, resistencia térmica y adherencia, y capacidad del desarrollo en la solución acuosa del hidróxido del tetramethylammonium (TMAH). Pues las composiciones tienen absorbencia de la luz corta en 193 nm y la longitud de onda de 157 nm, son convenientes para un proceso usando fuente de la luz ultravioleta tal como VUV (157 nm). ## del ## STR1 en donde, 1, R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3, R, R ', R ", R" ', X, a y b se define en la especificación.
