Indium phosphide-based vertical-cavity surface-emitting laser

   
   

A vertical-cavity surface-emitting laser comprises one or more quantum well layers and one or more barrier layers to define an gain region, a first mirror means and a second mirror means, wherein the first and second mirror means define a resonator. Moreover, the vertical-cavity surface-emitting laser further comprises a first indium phosphide layer adjacent to the gain region and a second indium phosphide layer adjacent to the gain region to define a laser cavity.

Un laser d'emissione della verticale-cavità contiene uno o più strati del pozzo di quantum ed uno o più strati di sbarramento per definire una regione di guadagno, modo un primo dello specchio e modo un secondo dello specchio, in cui i primi e secondi mezzi dello specchio definiscono un risonatore. Inoltre, il laser d'emissione della verticale-cavità più ulteriormente contiene un primo strato del fosfuro di indio adiacente alla regione di guadagno e un secondo strato del fosfuro di indio adiacente alla regione di guadagno per definire una cavità del laser.

 
Web www.patentalert.com

< Optical recording medium using scattering bodies to enhance modulation

< Folded cavity surface-emitting laser

> Precise monitor etalon calibration technique

> Semiconductor laser device and drive control method for a semiconductor laser device

~ 00108