Dielectric composition for high frequency resonators

   
   

A dielectric composition is based on a BaO--MgO--Nb.sub.2 O.sub.5 system material (BMN system material) having a dielectric constant, .epsilon., of about 30, a large Q-value (no-load quality coefficient) and a comparatively small absolute value of the temperature coefficient (.tau..sub.f) of its resonance frequency but containing no expensive Ta. The dielectric material has a composite perovskite crystal structure as the main crystal phase, wherein a predetermined amount of KNbO.sub.3 is added to a BMN system material. The high frequency characteristics can be further improved by partially replacing Nb with Sb and partially replacing the B site of the perovskite crystal structure with Sn.

Una composizione dielettrica è basata su un BaO -- MgO -- materiale del sistema di Nb.sub.2 O.sub.5 (materiale del sistema di BMN) che ha un costante dielettrico, il epsilon., di circa 30, un grande Q-valore (coefficente a vuoto di qualità) e un valore assoluto comparativamente piccolo del coefficente di temperatura (tau..sub.f) della relativa frequenza di risonanza ma non contenente l'AT costosa. Il materiale dielettrico ha una struttura di cristallo del perovskite composito come la fase di cristallo principale, in cui una quantità predeterminata di KNbO.sub.3 è aggiunta ad un materiale del sistema di BMN. Le caratteristiche ad alta frequenza possono più ulteriormente essere migliorate parzialmente sostituendo la N.B.: con lo Sb e parzialmente sostituendo il luogo di B della struttura di cristallo del perovskite con lo Sn.

 
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