Electron beam (e-beam) shot linearity monitoring is disclosed. A pattern is
written that has a predetermined size and a predetermined form in a
predetermined position on a substrate, such as a semiconductor wafer, a
reticle, or a photomask. The pattern writing fixes the e-beam shot size,
as located along one or more critical dimensions of the pattern. The
critical dimensions are then measured, where their variations reflect the
e-beam shot size linearity. Thereafter, deficiencies in the e-beam shot
size linearity can be compensated for, to allow for properly produced
semiconductor patterns.
Elektronenstraal (e-straal) de ontsproten lineariteit controle wordt onthuld. Een patroon wordt geschreven dat een vooraf bepaalde grootte en een vooraf bepaalde vorm in een vooraf bepaalde positie inzake een substraat, zoals een halfgeleiderwafeltje, een dradenkruis, of een photomask heeft. Patroon het schrijven bevestigt de e-straal ontsproten grootte, zoals die langs één of meerdere kritieke afmetingen van het patroon wordt gevestigd. De kritieke afmetingen worden dan gemeten, waar hun variaties op de e-straal ontsproten groottelineariteit wijzen. Daarna, ontsproten de deficiënties in de e-straal groottelineariteit kunnen worden gecompenseerd, om voor behoorlijk veroorzaakte halfgeleiderpatronen toe te staan.
