A method for manufacturing a bump on a terminal face (Z1) of a
semiconductor substrate (20), in which the terminal face is nucleated to
generate a basic metallization through electrolytic coating of the
terminal face with zincate, in such a way that zinc particles (24)
electrolytically deposited on the terminal face serve as nuclei for an
ensuing contact metallization (28) autocatalytically deposited on the
basic metallization. In addition to the electrolytic coating with zincate,
an electrolytic coating of the terminal face with palladium takes place,
in such a way that, in addition to zinc particles (24), palladium
particles (25) deposited on the terminal face serve as nuclei for the
contact metallization subsequently autocatalytically deposited on the
terminal face.
Een methode om een buil op een eindgezicht (Z1) van een halfgeleidersubstraat (20) te vervaardigen, waarin het eindgezicht nucleated is om een basismetallisering door elektrolytische deklaag van het eindgezicht met zincate te produceren, zodanig dat zinkdeeltjes (24) die elektrolytisch op het eindgezicht worden gedeponeerd als kernen voor een volgende contactmetallisering (28) die autocatalytically op de basismetallisering wordt gedeponeerd dienen. Naast de elektrolytische deklaag met zincate, vindt een elektrolytische deklaag van het eindgezicht met palladium plaats, zodanig dat, naast zinkdeeltjes (24), palladiumdeeltjes (25) die op het eindgezicht worden gedeponeerd als kernen voor de contactmetallisering dienen later die autocatalytically op het eindgezicht wordt gedeponeerd.
