The present invention provides a permanent protective hardmask which
protects the dielectric properties of a main dielectric layer having a
desirably low dielectric constant in a semiconductor device from
undesirable increases in the dielectric constant, undesirable increases in
current leakage, and low device yield from surface scratching during
subsequent processing steps. The protective hardmask further includes a
single layer or dual layer sacrificial hardmask particularly useful when
interconnect structures such as via openings and/or lines are formed in
the low dielectric material during the course of making the final product.
The sacrificial hardmask layers and the permanent hardmask layer may be
formed in a single step from a same precursor wherein process conditions
are altered to provide films of differing dielectric constants. Most
preferably, a dual damascene structure has a tri-layer hardmask comprising
silicon carbide BLoK.TM., PECVD silicon nitride, and PECVD silicon
dioxide, respectively, formed over a bulk low dielectric constant
interlevel dielectric prior to forming the interconnect structures in the
interlevel dielectric.
Die anwesende Erfindung liefert ein dauerhaftes schützendes hardmask, das die dielektrischen Eigenschaften einer dielektrischen hauptsächlichschicht schützt, die eine wünschenswert niedrige Dielektrizitätskonstante in einem Halbleiterelement vor nicht wünschenswerten Zunahmen der Dielektrizitätskonstante, nicht wünschenswerten Zunahmen des gegenwärtigen Durchsickerns und niedrigem Vorrichtung Ergebnis von der Oberfläche hat, die während der folgenden Verarbeitungsschritte verkratzt. Das schützende hardmask, das weiter ist, schließt ein einzelne nützliches Schicht oder Doppelschicht Opferhardmask besonders ein, wenn Verknüpfung Strukturen wie über Öffnungen und/oder Linien im niedrigen dielektrischen Material während des Bildens des abschließenden Produktes gebildet werden. Die Opferhardmask Schichten und die dauerhafte hardmask Schicht können in einem Einzelschritt von einem gleichen Vorläufer gebildet werden, worin Prozeßbedingungen geändert werden, um Filme der unterscheidenen Dielektrizitätskonstanten zur Verfügung zu stellen. Am liebsten hat eine damascene Verdoppelungstruktur ein Tri-Schicht hardmask, des Silikonkarbids BLoK.TM., DES PECVD Silikons und DAS PECVD Silikonbeziehungsweise zu enthalten Nitrid dioxid gebildet über einem niedrigen Dielektrizitätskonstante interlevel Massennichtleiter vor der Formung der Verknüpfung Strukturen im interlevel Nichtleiter.
