An antiparallel (AP)-pinned magnetoresistive tunnel junction (MTJ) sensor
is provided with a single antiferromagnetic (AFM) layer sandwiched between
an AP-pinned layer and a bias layer for pinning the magnetization
directions of the AP-pinned layer and the bias layer. The bias layer may
be a simple ferromagnetic bias layer or, alternatively, may be an
AP-pinned bias layer including first and second ferromagnetic bias layers
with an antiferromagnetic coupling layer sandwiched between. The bias
layer provides a demagnetization field H.sub.dmB at the free layer having
the same direction as the demagnetization field H.sub.dmP from the
AP-pinned layer. The sum of H.sub.dmP and H.sub.dmB counterbalance a
ferromagnetic coupling field H.sub.FC from the AP-pinned layer to obtain
zero or near zero asymmetry of the bias point on the transfer curve of the
MTJ sensor.
Een antiparallel (ap)-Gespelde magnetoresistive sensor van de tunnelverbinding (MTJ) wordt voorzien van één enkele antiferromagnetic laag (van AFM) die tussen een ap-Gespelde laag wordt geklemd en een bias laag voor het spelden van de magnetiseringsrichtingen van de ap-Gespelde laag en de bias laag. De bias laag kan een eenvoudige ferromagnetische bias laag zijn of, alternatief, kan een ap-Gespelde bias laag met inbegrip van eerst en tweede ferromagnetische bias lagen met een antiferromagnetic koppelingslaag zijn wordt geklemd die tussen. De bias laag verstrekt een demagnetization gebied H.sub.dmB bij de vrije laag die de zelfde richting heeft zoals het demagnetization gebied H.sub.dmP van de ap-Gespelde laag. De som van H.sub.dmP en H.sub.dmB compenseren een ferromagnetisch koppelingsgebied H.sub.FC van de ap-Gespelde laag om nul te verkrijgen of nul asymmetrie van het bias punt op de overdrachtkromme van de sensor te naderen MTJ.
