The present invention provides a magnetoresistive device including a
multi-layered structure of a free magnetic layer, a non-magnetic
non-conductive layer in contact with the free magnetic layer, a pinned
layer in contact with the non-magnetic non-conductive layer, and a pinning
layer in contact with the pinned layer for pinning a magnetization
direction of the pinned layer, wherein at least any one of the free
magnetic layer and the pinned layer has an interface region abutting the
non-magnetic non-conductive layer, and at least a part of the interface
region includes at least one material selected from the group consisting
of CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoFeTi,
CoNbHf, CoHfPd, CoTaZrNb, and CoZrMoNi.
La présente invention fournit un dispositif magnétorésistant comprenant une structure multicouche d'une couche magnétique libre, une couche non-conductrice non magnétique en contact avec la couche magnétique libre, une couche goupillée en contact avec la couche non-conductrice non magnétique, et une couche goupillante en contact avec la couche goupillée pour goupiller une direction de magnétisation de la couche goupillée, où au moins n'importe quelle de la couche magnétique libre et de la couche goupillée a une région d'interface abouter la couche non-conductrice non magnétique, et au moins une partie de la région d'interface inclut au moins un matériel choisi dans le groupe de CoFeB, CoZrMo, CoZrNb, CoZr, CoZrTa, CoHf, CoTa, CoTaHf, CoFeTi, CoNbHf, CoHfPd, CoTaZrNb, et CoZrMoNi.
