Systems, devices and methods are provided for magnetic memory elements with
low remanence flux concentrators. Improved bit yield is attributable to
reduced remanence in the flux concentrator. Remanence provides the memory
element with a biasing magnetic field. The flux concentrator includes
anisotropy aligned with an appropriate conductor. One aspect of the
present subject matter is a memory cell. One memory cell embodiment
includes a magnetic memory element and a flux concentrator operably
positioned with respect to a conductor. The conductor is adapted to
provide a current-induced magnetic flux to the magnetic memory element.
The flux concentrator includes an easy axis of magnetization aligned with
the conductor and a hard axis of magnetization orthogonal to the easy axis
of magnetization. Other aspects are provided herein.
Systeme, Vorrichtungen und Methoden werden für magnetische Gedächtniselemente mit niedrigen remanence Flußverdichtern versehen. Verbessertes Spitze Ergebnis ist verringertem remanence im Flußverdichter zuzuschreibend. Remanence versieht das Gedächtniselement mit einem Beeinflussen magnetisch auffangen. Der Flußverdichter schließt die Anisotrophie ein, die mit einem passenden Leiter ausgerichtet ist. Ein Aspekt des Themas des Geschenkes ist eine Speicherzelle. Eine Speicherzelle Verkörperung schließt ein magnetisches Gedächtniselement und einen Flußverdichter mit ein, die operably in Bezug auf einen Leiter in Position gebracht werden. Der Leiter wird angepaßt, um einen gegenwärtig-verursachten magnetischen Fluß zum magnetischen Gedächtniselement zur Verfügung zu stellen. Der Flußverdichter schließt eine einfache Mittellinie der Magnetisierung ausgerichtet mit dem Leiter und eine harte Mittellinie der Magnetisierung orthogonal zur einfachen Mittellinie der Magnetisierung ein. Andere Aspekte werden hierin zur Verfügung gestellt.
