Nonvolatile memory device having circuit for stably supplying desired current during data writing

   
   

A memory block is divided into block units for which parallel data write is performed. Current supply sections capable of supplying a power supply voltage and a ground voltage are provided for block units, independently of one another. With this configuration, in each block unit, writing of data to a selected memory cell is performed by a data write current from the independent current supply section connected to the power supply voltage and the ground voltage. That is, wiring lengths of power supply lines for supplying the power supply voltage and the ground voltage can be shortened. It is therefore possible to suppress a wiring resistance of the power supply line and to supply a desired data write current.

Ένας φραγμός μνήμης διαιρείται σε μονάδες φραγμών για τις οποίες τα παράλληλα στοιχεία γράφουν εκτελούνται. Τα τρέχοντα τμήματα ανεφοδιασμού ικανά μια τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος και μια επίγεια τάση παρέχονται για τις μονάδες φραγμών, ανεξάρτητα από το ένα άλλη. Με αυτήν την διαμόρφωση, σε κάθε μονάδα φραγμών, το γράψιμο των στοιχείων σε ένα επιλεγμένο κύτταρο μνήμης εκτελείται από ένα στοιχείο γράφει το ρεύμα από το ανεξάρτητο τρέχον τμήμα ανεφοδιασμού που συνδέεται με την τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος και την επίγεια τάση. Δηλαδή τα μήκη καλωδίωσης των γραμμών παροχής ηλεκτρικού ρεύματος για την παροχή της τάσης παροχής ηλεκτρικού ρεύματος και της επίγειας τάσης μπορούν να κονταίνουν. Είναι επομένως δυνατό να κατασταλθεί μια αντίσταση καλωδίωσης της γραμμής παροχής ηλεκτρικού ρεύματος και για να παρέχει ένα επιθυμητό στοιχείο γράψτε το ρεύμα.

 
Web www.patentalert.com

< Nonvolatile solid-state memory and method of driving the same

< Multiplexor having a reference voltage on unselected lines

> Low remanence flux concentrator for MRAM devices

> Method and apparatus of programmable interconnect array with configurable multiplexer

~ 00167