For aggressively scaled field effect transistors, nitrogen is incorporated
into a base oxide layer, wherein, at an initial phase of a plasma
nitridation process, the nitrogen ion density is maintained at a value so
that incorporation of nitrogen into the channel region is minimized.
Subsequently, when the thickness of the base oxide layer has increased,
due to residual oxygen in the plasma ambient, the nitrogen ion density is
increased, thereby increasing the nitridation rate. Preferably, the
nitrogen ion density is controlled by varying the pressure of the plasma
ambient. Moreover, a system is disclosed that allows control of the
nitridation rate in response to an oxide layer thickness.
Para transistor de efeito de campo aggressively escalados, o nitrogênio é incorporado em uma camada baixa do óxido, wherein, em uma fase inicial de um processo do nitridation do plasma, a densidade do íon do nitrogênio é mantida em um valor de modo que a incorporação do nitrogênio na região da canaleta seja minimizada. Subseqüentemente, quando a espessura da camada baixa do óxido aumentou, devido ao oxigênio residual no plasma ambiental, a densidade do íon do nitrogênio é aumentada, aumentando desse modo a taxa do nitridation. Preferivelmente, a densidade do íon do nitrogênio é controlada variando a pressão do plasma ambiental. Além disso, um sistema é divulgado que permita o controle da taxa do nitridation em resposta a uma espessura da camada do óxido.
