A method for fabricating an n-type carbon nanotube device, characterized in
that thermal annealing and plasma-enhanced chemical vapor-phased
deposition (PECVD) are employed to form a non-oxide gate layer on a carbon
nanotube device. Moreover, the inherently p-type carbon nanotube can be
used to fabricate an n-type carbon nanotube device with reliable device
characteristics and high manufacturing compatibility.
Метод для изготовлять приспособление nanotube углерода н-tipa, котор характеризуют в том термально отжиге и плазм-uvelicennoe пар-fazirovannoe химикатом низложение (PECVD) использованы для того чтобы сформировать слой строба нон-okisi на приспособлении nanotube углерода. Сверх того, своиственно nanotube углерода п-tipa можно использовать для того чтобы изготовить приспособление nanotube углерода н-tipa с надежными характеристиками приспособления и высокой совместимостью изготавливания.
