The invention includes both devices and methods of production. A device in
accordance with the invention includes a top surface and a bottom surface,
a through wafer via extending from the top surface to the bottom surface,
an optoelectronic structure and an ion implanted isolation moat, wherein
the optoelectronic structure and the through wafer via are enclosed within
the isolation moat. A method in accordance with the invention is a method
of producing a device that includes the steps of forming an optoelectronic
structure, forming a through wafer via, extending from a top surface to a
bottom surface of the device and forming an ion implanted isolation moat,
wherein the through wafer via and the optoelectronic structure are
enclosed by the isolation moat.
L'invenzione include sia i dispositivi che i metodi di produzione. Un dispositivo secondo l'invenzione include una superficie superiore e di fondo, a attraverso la cialda via estendersi dalla superficie superiore fino di fondo, una struttura optoelettronica e un fossato di isolamento impiantato ione, in cui la struttura optoelettronica e la cialda diretta via sono incluse all'interno del fossato di isolamento. Un metodo secondo l'invenzione รจ un metodo di produrre un dispositivo che include i punti di formare una struttura optoelettronica, di formare la a attraverso la cialda via, di estendersi da una superficie superiore fino di fondo del dispositivo e di formare un fossato di isolamento impiantato ione, in cui la cialda diretta via e la struttura optoelettronica sono accluse dal fossato di isolamento.
