An embodiment of the present invention described and shown in the
specification is a system for optimizing data used in creating a
photolithographic mask. The system reads a definition of a layer of wafer
to be created with a photolithographic mask and defines a number of
polygons corresponding to conventional patterns on a mask and polygons
corresponding to areas on the mask that are phase shifters. A number of
data layers are created and the polygons that define phase shifting areas
that shift the phase of light by differing amounts of are grouped in
different data layers. Once separated, the system analyzes the polygons in
each data layer against one or more design rules and assigns a phase shift
amount to all the polygons in a data layer in accordance with the
analysis. The polygon definitions in each data layer are then given to a
mask maker to fabricate a photolithographic mask. It is emphasized that
this abstract is being provided to comply with the rules requiring an
abstract and will not be used to interpret or limit the scope or meaning
of the claims under 37 C.F.R. .sctn.1.72(b).
Uma incorporação da invenção atual descrita e mostrada na especificação é um sistema para os dados optimizing usados em criar uma máscara photolithographic. O sistema lê uma definição de uma camada de wafer a ser criado com uma máscara photolithographic e define um número de polygons que correspondem aos testes padrões convencionais em uma máscara e polygons que correspondem às áreas na máscara que são deslocadores da fase. Um número de camadas de dados são criadas e os polygons que definem as áreas do deslocamento de fase de que desloque a fase da luz por quantidades diferindo são agrupados em camadas de dados diferentes. Uma vez que separado, o sistema analisa os polygons em cada camada de dados de encontro a uma ou a mais réguas do projeto e atribui uma quantidade do deslocamento de fase a todos os polygons em uma camada de dados de acordo com a análise. As definições do polygon em cada camada de dados são dadas então a um fabricante da máscara para fabricar uma máscara photolithographic. Emfatiza-se que este sumário está sendo fornecido para comply com as réguas que requerem um sumário e não estará usado interpretar ou limitar o espaço ou o significado das reivindicações sob 37 C.F.R. sctn.1.72(b).
