A base crystal layer is formed on the surface of a basal body by growing,
e.g., GaN comprising a III-V compound by MOCVD and then the base crystal
layer 12 is etched. An intermediate crystal layer is formed by laterally
growing GaN from windows formed in the base crystal layer by etching. In
the intermediate crystal layer, an inner layer made of, e.g., AlGaN is
formed. Then, the intermediate crystal layer is further etched and a top
crystal layer is formed by laterally growing GaN from windows formed in
the intermediate crystal layer by etching. An inner layer made of, e.g.,
AlGaN is formed in the top crystal layer. Development of dislocations is
suppressed to some extent by the lateral growth when forming the
intermediate crystal layer and the top crystal layer. Further, development
of dislocations is suppressed by the inner layers.
Ένα στρώμα κρυστάλλου βάσεων διαμορφώνεται στην επιφάνεια ενός βασικού σώματος με την ανάπτυξη, π.χ., GaN περιλαμβάνοντας μια IIIV ένωση από το MOCVD και έπειτα το στρώμα 12 κρυστάλλου βάσεων χαράζεται. Ένα ενδιάμεσο στρώμα κρυστάλλου διαμορφώνεται με πλευρικά να αυξηθεί GaN από τα παράθυρα που διαμορφώνονται στο στρώμα κρυστάλλου βάσεων από τη χαρακτική. Στο ενδιάμεσο στρώμα κρυστάλλου, ένα εσωτερικό στρώμα φιαγμένο από, π.χ., AlGaN διαμορφώνεται. Κατόπιν, το ενδιάμεσο στρώμα κρυστάλλου χαράζεται περαιτέρω και ένα κορυφαίο στρώμα κρυστάλλου διαμορφώνεται με πλευρικά να αυξηθεί GaN από τα παράθυρα που διαμορφώνονται στο ενδιάμεσο στρώμα κρυστάλλου από τη χαρακτική. Ένα εσωτερικό στρώμα φιαγμένο από, π.χ., AlGaN διαμορφώνεται στο κορυφαίο στρώμα κρυστάλλου. Την η ανάπτυξη των εξαρθρώσεων καταστέλλεται ως ένα ορισμένο βαθμό από την πλευρική αύξηση κατά διαμόρφωση του ενδιάμεσου στρώματος κρυστάλλου και του κορυφαίου στρώματος κρυστάλλου. Περαιτέρω, η ανάπτυξη των εξαρθρώσεων καταστέλλεται από τα εσωτερικά στρώματα.
