A monolithic surface mount optoelectronic device includes a transparent
epoxy layer and a glass layer, which cover the active surface of a light
emitting diode junction. The diode junction preferably outputs a
characteristic wavelength of about 450 nm (blue light). The junction is
fabricated by growing a P+ layer, gallium nitride layer, and a silicon
gallium nitride buffer layer on a silicon substrate. The buffer layer,
which is preferably non-conductive, is made conductive by the addition of
a metallic shorting ring connecting the gallium nitride layer through a
via in the silicon substrate to one of two surface mount contacts. A
conductive beam connects the P+ layer to the remaining surface mount
contact through another via in the silicon substrate. An isolation trench
separates the vias in the substrate.
Приспособление монолитового поверхностного держателя optoelectronic вклюает прозрачный epoxy слой и стеклянный слой, который покрывают активно поверхность светлого испуская соединения диода. Соединение диода предпочтительн выводит наружу характерная длина волны около 450 nm (голубой свет). Соединение изготовлено путем расти слой P+, слой нитрида галлия, и слой буфера нитрида галлия кремния на субстрате кремния. Слой буфера, который предпочтительн непровоящий, сделан проводным добавлением металлического замыкая накоротко кольца соединяя слой нитрида галлия через а через в субстрат кремния до один из 2 поверхностных контактов держателя. Проводной луч соединяет слой P+ к остальному поверхностному контакту держателя через другие через в субстрат кремния. Шанец изоляции отделяет vias в субстрате.
