In a LDMOS transistor or matrix of transistors, hot carrier degradation
effects are reduced by providing a ring drain and providing the ring drain
with an overvoltage bias relative to the internal drain(s) of the LDMOS
transistors.
In un transistore di LDMOS o in una tabella dei transistori, gli effetti caldi di degradazione dell'elemento portante sono ridotti fornendo uno scolo dell'anello e fornendo allo scolo dell'anello una polarizzazione di sovratensione riguardante il drain(s) interno dei transistori di LDMOS.
