A distributed feedback (DFB) semiconductor laser device has a
multiple-quantum-well (MQW) structure and a diffraction grating formed in
the MQW structure. The diffraction grating includes a grating structure
formed in QW layers and a barrier layer of the MQW structure and an
embedded layer embedded in the grating structure. One of the QW layers and
the barrier layers has an etching rate lower than the etching rate of the
other layers of the MQW structure and functions as an etching stop layer
during etching of the MQW structure for forming the diffraction grating.
Μια διανεμημένη συσκευή λέιζερ ημιαγωγών ανατροφοδότησης (DFB) διαμορφώνει μια δομή πολλαπλάσιος-κβαντικός-φρεατίων (MQW) και ένα κιγκλίδωμα διάθλασης στη δομή MQW. Το κιγκλίδωμα διάθλασης περιλαμβάνει μια δομή κιγκλιδωμάτων που διαμορφώνονται στα στρώματα QW και ένα στρώμα εμποδίων της δομής MQW και ένα ενσωματωμένο στρώμα που ενσωματώνεται στη δομή κιγκλιδωμάτων. Ένα από τα στρώματα QW και τα στρώματα εμποδίων έχει ένα ποσοστό χαρακτικής χαμηλότερο από το ποσοστό χαρακτικής των άλλων στρωμάτων της δομής MQW και λειτουργεί ως στρώμα στάσεων χαρακτικής κατά τη διάρκεια της χαρακτικής της δομής MQW για τη διαμόρφωση του κιγκλιδώματος διάθλασης.
