A semiconductor light emitting apparatus includes a semiconductor light
emitting element which includes a stripe structure and an active layer
made of an InGaN material, and emits first light without laser
oscillation; an optical resonator; and a first wavelength selection unit
which allows resonance, in the optical resonator, of second light having a
selected wavelength included in the first light emitted by the
semiconductor light emitting element. Alternatively, instead of the first
wavelength selection unit, a second wavelength selection unit which allows
output of only the above second light from the semiconductor light
emitting apparatus may be provided. In this case, the semiconductor light
emitting apparatus may further include an optical detector which detects
intensity of the second light; and an output regularizing unit which
drives the semiconductor light emitting element based on the detected
intensity so as to regularize the intensity of the second light.
Um instrumento emitindo-se claro do semicondutor inclui um elemento emitindo-se claro do semicondutor que inclua uma estrutura do listra e uma camada ativa feitas de um material de InGaN, e emite-se a primeira luz sem oscilação do laser; um ressonador ótico; e uma primeira unidade da seleção do wavelength que permita o resonance, no ressonador ótico, da segunda luz que tem um wavelength selecionado incluído na primeira luz emissora pelo elemento se emitindo claro do semicondutor. Alternativamente, em vez da primeira unidade da seleção do wavelength, uma segunda unidade da seleção do wavelength de que permita a saída somente a segunda luz acima do instrumento emitindo-se claro do semicondutor pode ser fornecida. Neste caso, o instrumento emitindo-se claro do semicondutor pode mais mais incluir um detetor ótico que detecte a intensidade da segunda luz; e uma saída que regularizing a unidade que dirige o elemento se emitindo claro do semicondutor baseou na intensidade detectada para regularize a intensidade da segunda luz.
