A method of making a transparent electrode for a light-emitting diode
includes depositing metal on a top surface of a semiconductor structure,
and defining a first region of the semiconductor structure for a first
electrode by forming a mask over the metal, the mask having at least one
opening so that the first region is covered by the mask and a second
region is aligned with the at least one opening in the mask. The method
also includes removing metal aligned with the at least one opening in the
mask in the second region to form the first electrode overlying the first
region of the semiconductor structure and so as to reveal the top surface
of the semiconductor structure in the second region. After forming the
first electrode during the removing metal step, material is removed from
the semiconductor structure aligned with the at least one opening in the
second region to form a second electrode surface for a second electrode,
the second electrode surface being lower in elevation than the top surface
of the semicondcutor structure.
Метод делать прозрачный электрод для светоиспускающого диода вклюает депозируя металл на верхней поверхности структуры полупроводника, и определяющ первую зону структуры полупроводника для первого электрода путем формировать маску над металлом, маска имея по крайней мере одно раскрыть так, что первая зона будет предусматривана маской и второй зоной выровняна при по крайней мере одно раскрывая в маске. Метод также вклюает извлекать металл выровнянный при по крайней мере одно раскрывая в маску в второй зоне для того чтобы сформировать первый электрод overlying первая зона структуры полупроводника и показать верхнюю поверхность структуры полупроводника в второй зоне. После формировать первый электрод во время извлекая шага металла, материал извлекается от структуры полупроводника выровнянной при по крайней мере одно раскрывая в второй зоне для того чтобы сформировать вторую поверхность электрода для второго электрода, второй поверхности электрода более низок в высоте чем верхняя поверхность структуры semicondcutor.
