An improved magnetic memory element is provided in which a magnetic sense
layer is formed of two ferromagnetic material layers separated by a spacer
layer. The two ferromagnetic layers are formed as a synthetic ferrimagnet
with stray field coupling and antiferromagnetic exchange coupling across
the spacer layer.
On fournit un élément magnétique amélioré de mémoire dans lequel une couche magnétique de sens est constituée de deux couches matérielles ferromagnétiques séparées par une couche d'entretoise. Les deux couches ferromagnétiques sont formées pendant qu'un ferrimagnet synthétique avec l'accouplement parasite de champ et l'accouplement antiferromagnetic d'échange à travers l'entretoise posent.
