Processing of applying ultraviolet rays to a front face of an insulating
film material formed on a wafer W is performed, whereby a contact angle of
the front face thereof becomes smaller. Accordingly, when an insulating
film material is applied on the aforesaid front face, the material
smoothly spreads, and projections and depressions never occur on a front
face of an upper layer insulating film material. Thereby, it is possible
to form the insulating film thick and flatter on a substrate.
Die Verarbeitung des Anwendens der ultravioletten Strahlen an einem vorderen Gesicht eines isolierenden Filmmaterials, das auf einer Oblate W gebildet wird, wird durchgeführt, hingegen ein Kontaktwinkel des vorderen Gesichtes davon kleiner wird. Dementsprechend wenn ein isolierendes Filmmaterial auf dem vorher erwähnten vorderen Gesicht angewendet wird, treten die des Materials Verbreitungen glatt und Projektionen und Tiefstand nie auf einem vorderen Gesicht eines isolierenden Filmmaterials der oberen Schicht auf. Dadurch ist es möglich, den isolierenden Film und Setzhammer auf einem Substrat dick zu bilden.
