A method for forming edge-defined structures with sub-lithographic
dimensions which are used to further form conduction channels and/or
storage structures in memory cells. Sacrificial silicon nitride islands
are deposited at low temperatures and then patterned and etched by high
resolution etching techniques. Polysilicon is next deposited over the
sacrificial silicon nitride islands and directionally etched to form
edge-defined polysilicon dot and strip structures which are about one
tenth the minimum feature size. The edge-defined polysilicon strips and
dots are formed between the source and drain region of an NMOS device.
Subsequent to the removal of the sacrificial silicon nitride islands, the
edge-defined polysilicon strips and dots are used to mask a threshold
voltage implantation in a conventional CMOS process. A conduction channel
and two adjacent potential minimum dots are formed after the removal of
the edge-defined polysilicon strips and dots.
Eine Methode für die Formung der Rand-definierten Strukturen mit Vor-lithographischen Maßen, die verwendet werden, um Übertragung Führungen und/oder Speicherstrukturen in den Speicherzellen weiter zu bilden. Opfersilikonnitridinseln werden bei den niedrigen Temperaturen niedergelegt und patterned dann und geätzt durch die hohe Auflösung, die Techniken ätzt. Polysilicon wird zunächst über den Opfersilikonnitridinseln niedergelegt und geätzt Richtungs-, um Rand-definierten polysilicon Punkt zu bilden und Strukturen abzustreifen, die ungefähr eine zehnten die minimale Eigenschaft Größe sind. Die Rand-definierten polysilicon Streifen und die Punkte werden zwischen der Quelle gebildet und Region einer NMOS Vorrichtung ablassen. Folgend dem Abbau der Opfersilikonnitridinseln, der Rand-definierten polysilicon Streifen und der Punkte werden verwendet, eine Schwelle Spannung Einpflanzung in einem herkömmlichen CMOS Prozeß zu verdecken. Eine Übertragung Führung und zwei angrenzende mögliche minimale Punkte werden nachdem der Abbau der Rand-definierten polysilicon Streifen und der Punkte gebildet.
