A semiconductor device having a silicon single crystal substrate and a
boron phosphide semiconductor layer containing boron and phosphorus as
constituent elements on a surface of the silicon single crystal substrate
is disclosed. The surface of the silicon single crystal substrate is a
{111} crystal plane inclined at an angle of 5.0.degree. to 9.0.degree.
toward a <110> crystal azimuth.
Прибора на полупроводниках имея субстрат одиночного кристалла кремния и полупроводник фосфида бора наслаивают содержать бор и фосфор по мере того как показаны составные элементы на поверхности субстрата одиночного кристалла кремния. Поверхность субстрата одиночного кристалла кремния 111} crystal плоское inclined а {под углом 5.0.degree. к 9.0.degree. к crystal азимуту.
