A III-nitride device includes a first n-type layer, a first p-type layer,
and an active region separating the first p-type layer and the first
n-type layer. The device may include a second n-type layer and a tunnel
junction separating the first and second n-type layers. First and second
contacts are electrically connected to the first and second n-type layers.
The first and second contacts are formed from the same material, a
material with a reflectivity to light emitted by the active region greater
than 75%. The device may include a textured layer disposed between the
second n-type layer and the second contact or formed on a surface of a
growth substrate opposite the device layers.
Um dispositivo do Iii-iII-nitride inclui um primeiro n-tipo camada, um primeiro p-tipo camada, e uma região ativa que separa o primeiro p-tipo camada e o primeiro n-tipo camada. O dispositivo pode incluir um segundo n-tipo camada e uma junção do túnel que separa o primeiro e segundo n-tipo camadas. Os contatos são conectados primeiramente e em segundo eletricamente ao primeiro e segundo n-tipo camadas. Os primeiros e segundos contatos são dados forma do mesmo material, um material com um reflectivity à luz emissora pela região ativa mais extremamente de 75%. O dispositivo pode incluir uma camada textured disposta entre o segundo n-tipo camada e o segundo contato ou dada forma em uma superfície de uma carcaça do crescimento oposto às camadas do dispositivo.
