An aspect of the present invention includes a first conductive type
semiconductor region formed in a semiconductor substrate, a gate electrode
formed on the first conductive type semiconductor region, a channel region
formed immediately below the gate electrode in the first conductive type
semiconductor region, and a second conductive type first diffusion layers
constituting source/drain regions formed at opposite sides of the channel
region in the first conductive type semiconductor region, the gate
electrode being formed of polycrystalline silicon-germanium, in which the
germanium concentration of at least one of the source side and the drain
side is higher than that of the central portion.
Ein Aspekt der anwesenden Erfindung schließt eine erste leitende Art die Halbleiterzone ein, die in einem Halbleitersubstrat, eine Gate-Elektrode gebildet wird, die auf der ersten leitenden Art Halbleiterzone, eine Führung Region gebildet wird, die sofort unter der Gate-Elektrode in der ersten leitenden Art Halbleiterzone und in einer zweiten leitenden Art die ersten Diffusion (Zerstäubung) Schichten gebildet wird, welche die source/drain Regionen festsetzen, die an den gegenüberliegenden Seiten der Führung Region in der ersten leitenden Art Halbleiterzone, die Gate-Elektrode gebildet werden, die vom polykristallinen Silikon-Germanium gebildet wird, in dem die Germaniumkonzentration von einer mindestens der Quellseite und der Abflußseite höher als die des zentralen Teils ist-.
