A bottom anti-reflective coating comprising an organic polymer layer having
substantially no nitrogen and a low compressive stress in relation to a
polysilicon layer is employed as the lower layer of a bi-layer
antireflective coating/hardmask structure to reduce deformation of a
pattern to be formed in a patternable layer. The organic polymer layer is
substantially transparent to visible radiation, enabling better detection
of alignment marks during a semiconductor device fabrication process and
improving overlay accuracy. The organic polymer layer provides excellent
step coverage and may be advantageously used in the fabrication of
structures such as FinFETs.
Een bodem anti-weerspiegelende deklaag die uit een organische polymeerlaag wezenlijk geen stikstof hebben en uit een lage samenpersende spanning die met betrekking tot een polysilicon laag bestaat is aangewend als lagere laag van een bi-laag antireflective deklaag/hardmask een structuur om misvorming van een patroon te verminderen dat in een patternable laag moet worden gevormd. De organische polymeerlaag is wezenlijk transparant aan zichtbare straling, toelatend betere opsporing van groeperingstekens tijdens een de vervaardigingsproces van het halfgeleiderapparaat en verbeterend bekledingsnauwkeurigheid. De organische polymeerlaag verstrekt uitstekende stapdekking en kan voordelig in de vervaardiging van structuren zoals FinFETs worden gebruikt.
