The fixed charge in a borophosphosilicate glass insulating film deposited
on a semiconductor device is reduced by reacting an organic precursor such
as TEOS with O.sub.3. When done at temperatures higher than approximately
480 degrees C., the carbon level in the resulting film appears to be
reduced, resulting in a higher threshold voltage for field transistor
devices.
Постоянная затрата в пленке borophosphosilicate стеклянной изолируя депозированной на прибора на полупроводниках уменьшена путем реагировать органический прекурсор such as TEOS с O.sub.3. После того как я делан на температурах более высоко чем приблизительно 480 градусов C, кажется, что уменьшен уровень углерода в приводя к пленке, resulting in напряжение тока высокийа порог для приспособлений транзистора поля.
