A semiconductor device having a structure in which no short circuit occurs
between plug interconnections even when a void occurs in an insulating
layer in a gap between wiring layers and a method of manufacturing the
same are attained. The method includes: a step of forming transfer gates
so as to be close to each other with a gap on a semiconductor substrate; a
step of burying the gap and covering a wiring layer; a step of opening a
contact hole in an insulating layer in the gap portion; a step of
depositing a short-circuit preventing insulating film in the contact hole;
an etch back step of removing the short-circuit preventing insulating film
at least on the bottom of the gap to expose the semiconductor substrate;
and a step of forming a plug interconnection.
Un dispositivo a semiconduttore che ha una struttura in cui nessun cortocircuito si presenta fra le interconnessioni della spina anche quando un vuoto si presenta in uno strato isolante in uno spacco fra gli strati dei collegamenti e un metodo di produzione stessi รจ raggiunto. Il metodo include: un punto di formare il trasferimento gates in modo da essere vicino a vicenda con uno spacco su un substrato a semiconduttore; un punto di seppellire lo spacco e di riguardare uno strato dei collegamenti; un punto di apertura del foro del contatto in uno strato isolante nella parte di spacco; un punto di depositare un cortocircuito che evita isolando pellicola nel foro del contatto; incissione all'acquaforte un punto indietro di rimozione del cortocircuito che evita isolando pellicola almeno sulla parte inferiore dello spacco per esporre il substrato a semiconduttore; e un punto di formare un'interconnessione della spina.
