A nonvolatile semiconductor memory device includes a silicon substrate, bit
lines, word lines, and memory cells. The bit line is positioned above the
main surface of the silicon substrate and the word line is provided to
intersect the bit line. The memory cell is positioned at a region where
the bit line and the word line intersect and has one end electrically
connected to the bit line and the other end electrically connected to the
word line. The memory cell includes a TMR element and an access diode
electrically connected in series. The access diode includes an n-type
silicon layer and a p-type silicon layer recrystallized by
melting-recrystallization and has a pn junction at the interface between
the n-type silicon layer and the p-type silicon layer. As a result, a
nonvolatile semiconductor memory device reduced in size and having high
performance can be manufactured inexpensively.
Un dispositivo de memoria permanente de semiconductor incluye un substrato del silicio, líneas del pedacito, líneas de la palabra, y las células de memoria. La línea del pedacito se coloca sobre la superficie principal del substrato del silicio y la línea de la palabra se proporciona para intersecar la línea del pedacito. La célula de memoria se coloca en una región donde la línea del pedacito y la línea de la palabra se intersecan y tiene el un extremo conectado eléctricamente con la línea del pedacito y el otro extremo conectado eléctricamente con la línea de la palabra. La célula de memoria incluye un elemento de TMR y un diodo del acceso conectados eléctricamente en serie. El diodo del acceso incluye un n-tipo capa del silicio y un p-tipo capa del silicio recristalizada por la derretir-recristalizacio'n y tiene una ensambladura del pn en el interfaz entre el n-tipo capa del silicio y el p-tipo capa del silicio. Consecuentemente, un dispositivo de memoria permanente de semiconductor redujo de tamaño y tener alto rendimiento se puede fabricar económicamente.
