Systems and methods for reducing colinearity effects in the formation of
microdevices are disclosed. A mask with at least one column of microdevice
cells is illuminated with pulses of radiation such that only a single
column is illuminated. Images of the column are used to form adjacent
columnar exposure fields on a workpiece. The columnar exposure fields so
formed each have a width much less than that of the full exposure field
capable of being formed by the projection lens. One method of the
invention includes forming each columnar exposure field with a single
pulse of radiation while the workpiece moves continuously relative to a
projection lens and mask. Another method includes forming each columnar
exposure field with a burst of radiation pulses or a long continuous pulse
while stepping the workpiece beneath a projection lens between bursts. By
forming columnar exposure fields that contain a single row of devices, a
substantial number of error sources that contribute to co-linearity error
are eliminated. This improves the control over a critical thin film head
device parameter called throat length and results in a higher yield of
higher performance devices. Among the errors that are eliminated with this
method are pattern placement errors on the mask, distortion in the
projection lens and pattern butting errors caused by rotational errors
between the projected mask pattern and the previously defined wafer
patterns.
Os sistemas e os métodos para reduzir efeitos do colinearity na formação dos microdevices são divulgados. Uma máscara com ao menos a uma coluna de pilhas do microdevice é iluminada com pulsos da radiação tais que somente uma única coluna está iluminada. As imagens da coluna são usadas dar forma a campos columnar adjacentes da exposição em um workpiece. Os campos columnar da exposição assim que dado forma cada um têm uma largura muito mais menos do que aquela do campo cheio da exposição capaz de ser dado forma pela lente da projeção. Um método da invenção inclui dar forma a cada campo columnar da exposição com um único pulso da radiação quando o workpiece se mover continuamente relativo a uma lente e a uma máscara da projeção. Um outro método inclui dar forma a cada campo columnar da exposição com um estouro de pulsos da radiação ou de um pulso contínuo longo ao pisar o workpiece abaixo de uma lente da projeção entre estouros. Dando forma aos campos columnar da exposição que contêm uma única fileira dos dispositivos, um número substancial das fontes do erro que contribuem ao erro das co-linearidades é eliminado. Isto melhora o controle sobre um comprimento chamado e resultados da garganta do dispositivo da cabeça da película fina parâmetro crítico em um rendimento mais elevado de dispositivos de um desempenho mais elevado. Entre os erros que são eliminados com este método são os erros da colocação do teste padrão na máscara, na distorção na lente da projeção e nos erros butting do teste padrão causados por erros rotatórios entre o teste padrão de máscara projetado e os testes padrões previamente definidos do wafer.
