An attenuating embedded phase shift photomask blank that produces a phase
shift of the transmitted light is formed with an optically translucent
film made of metal, silicon, nitrogen and oxygen. An etch stop layer is
added to improve the etch selectivity of the phase shifting layer. A wide
range of optical transmission (0.001% up to 15% at 157 nm) is obtained by
this process.
Atenuar encaixou o espaço em branco do photomask do deslocamento de fase que produz um deslocamento de fase da luz transmitida é dado forma com uma película ótica translúcida feita do metal, do silicone, do nitrogênio e do oxigênio. Uma camada do batente gravura em àgua forte é adicionada para melhorar o selectivity gravura em àgua forte da camada de deslocamento de fase. Uma escala larga da transmissão ótica (0.001% até 15% em 157 nm) é obtida por este processo.
