A radiation-emitting semiconductor device with a multilayer structure
comprising a radiation-emitting active layer, with electrical contacts for
impressing a current in the multilayer structure and with a
radiotransparent window layer. The window layer is arranged exclusively on
the side of the multilayer structure facing away from a main direction of
radiation of the semiconductor device and has at least one side wall that
includes a first side wall portion which extends obliquely, concavely or
in a stepwise manner toward a central axis of the semiconductor device
lying perpendicular to the multilayer sequence. In its subsequent
extension toward the back side, viewed from the multilayer structure, the
side wall changes over into a second side wall portion that extends
perpendicularly to the multilayer structure, that is, parallel to the
central axis, and the portion of the window layer encompassing the second
side wall portion forms a mounting pedestal for the semiconductor device.
The first and second side wall portions are fabricated especially
preferably by means of a saw blade having a shaped edge. In a preferred
optical device, the semiconductor device is mounted window layer downward
in a reflector cup.
Un dispositivo d'emissione a semiconduttore con una struttura a più strati che contiene uno strato attivo d'emissione, con i contatti elettrici per impressionare una corrente nella struttura a più strati e con uno strato radiotransparent della finestra. Lo strato della finestra è organizzato esclusivamente dal lato dei rivestimenti a più strati della struttura via da un senso principale di radiazione del dispositivo a semiconduttore ed ha almeno una parete laterale che include una prima parte della parete laterale che si estende obliquo, concavo o in un modo graduale verso un asse centrale della perpendicolare di menzogne del dispositivo a semiconduttore fino la sequenza a più strati. Nella relativa estensione successiva verso il lato posteriore, osservato dalla struttura a più strati, la parete laterale cambia sopra in seconda parte della parete laterale che si estende perpendicolarmente alla struttura a più strati, cioè, parallelo fino l'asse centrale e la parte dello strato della finestra che comprende la seconda parte della parete laterale forma un basamento del montaggio per il dispositivo a semiconduttore. Le prime e seconde parti della parete laterale sono fabbricate specialmente preferibilmente per mezzo di una lamierina di sega che ha un a forma di bordo. In un dispositivo ottico preferito, il dispositivo a semiconduttore è strato montato della finestra verso il basso in una tazza del riflettore.
