A nitride-based semiconductor light-emitting device having low operating
voltage with high reliability is obtained by improving adhesion of the
whole of an electrode layer to a nitride-based semiconductor layer without
damaging a low contact property. This nitride-based semiconductor
light-emitting device comprises the nitride-based semiconductor layer
formed on an active layer and the electrode layer partially formed on the
nitride-based semiconductor layer. The electrode layer includes a first
electrode layer containing a material having strong adhesion to the
nitride-based semiconductor layer and a second electrode layer formed on
the first electrode layer to have a portion coming into contact with the
surface of the nitride-based semiconductor layer with weaker adhesion to
the nitride-based semiconductor layer than the first electrode layer for
reducing contact resistance of the electrode layer to the nitride-based
semiconductor layer.
Een op nitride-gebaseerd halfgeleider lichtgevend apparaat dat laag werkend voltage met hoge betrouwbaarheid heeft wordt verkregen door adhesie van het geheel van een elektrodenlaag aan een op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag te verbeteren zonder een laag contactbezit te beschadigen. Dit op nitride-gebaseerde halfgeleider lichtgevende apparaat bestaat uit de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag die op een actieve laag wordt gevormd en uit de elektrodenlaag die gedeeltelijk op de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag wordt gevormd. De elektrodenlaag omvat een eerste elektrodenlaag een materiaal bevatten die sterke adhesie hebben aan de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag en een tweede elektrodenlaag die die op de eerste elektrodenlaag wordt gevormd een gedeelte te hebben die in contact met de oppervlakte van de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag komen met zwakkere adhesie aan de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag dan de eerste elektrodenlaag voor het verminderen van contactweerstand van de elektrodenlaag aan de op nitride-gebaseerde halfgeleiderlaag.
