A vapor-phase growth method for forming a boron-phosphide-based
semiconductor layer on a single-crystal silicon (Si) substrate in a
vapor-phase growth reactor. The method includes preliminary feeding of a
boron (B)-containing gas, a phosphorus (P)-containing gas, and a carrier
gas for carrying these gases into a vapor-phase growth reactor to thereby
form a film containing boron and phosphorus on the inner wall of the
vapor-phase growth reactor; and subsequently vapor-growing a
boron-phosphide-based semiconductor layer on a single-crystal silicon
substrate. Also disclosed is a boron-phosphide-based semiconductor layer
prepared by the vapor-phase growth method.
Een damp-fase de groeimethode om een op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag op een single-crystal silicium (Si) substraat in een damp-fase de groeireactor te vormen. De methode omvat het inleidende voeden van een borium (B)-bevattend gas, een fosfor (P)-bevattend gas, en een draaggas voor het dragen van deze gassen in een damp-fase de groeireactor daardoor een film vormen die borium en fosfor op de binnenmuur van de damp-fase de groeireactor bevat; en later damp-kwekend een op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag op een single-crystal siliciumsubstraat. Ook wordt een op borium-fosfide-gebaseerde halfgeleiderlaag onthuld die door de damp-fase de groeimethode wordt voorbereid.
