An X-ray exposure method and an X-ray exposure apparatus using exposure
X-rays having short wavelengths for formation of a fine pattern in X-ray
lithography and suppressing fogging due to secondary electrons from a
substrate bearing a resin film. The X-ray exposure method includes
forming, by coating, a resist film on a substrate made of a material
having an absorption-edge in or near an illumination wavelength range; and
illuminating the resist film with X-rays having a wavelength range,
including the absorption-edge wavelength, through an X-ray mask. The X-ray
intensity is reduced in the wavelength range of an absorption spectrum
including the absorption-edge of the material of the substrate in an
optical path leading to the substrate.
Un metodo di esposizione dei raggi X e un'apparecchiatura per l'esposizione dei raggi X usando i raggi X di esposizione che hanno lunghezze d'onda corte per la formazione di un modello fine in litografia dei raggi X e che sopprimono annebbiarsi dovuto gli elettroni secondari da un substrato che sopporta una pellicola della resina. Il metodo di esposizione dei raggi X include formare, ricoprendo, da una pellicola di resistenza su un substrato fatto di un materiale che ha un assorbimento-bordo dentro o avvicina una lunghezza d'onda di illuminazione; ed illuminando la pellicola di resistenza con i raggi X che hanno una lunghezza d'onda, compreso la lunghezza d'onda del assorbimento-bordo, attraverso una mascherina dei raggi X. L'intensità dei raggi X è ridotta nella lunghezza d'onda di uno spettro di assorbimento compreso il assorbimento-bordo del materiale del substrato in un percorso ottico che conduce al substrato.
