The present disclosure relates to a magnetic memory device. In one
embodiment, the magnetic memory device comprises a plurality of memory
cells, and a plurality of write conductors adjacent the memory cells but
electrically isolated from the memory cells, at least two of the write
conductors being connected to a single shared switch, wherein the write
conductors are configured to provide a path for current to flow to thereby
generate magnetic fields used to change a state of the memory cells.
La rilevazione attuale si riferisce ad un dispositivo di memoria magnetico. In un incorporamento, il dispositivo di memoria magnetico contiene una pluralità le cellule di memoria e una pluralità di scrive a conduttori adiacenti le cellule di memoria ma isolato elettricamente dalle cellule di memoria, almeno due dei conduttori di scrittura che sono collegati ad un singolo interruttore comune, in cui i conduttori di scrittura sono configurati per fornire un percorso per la corrente a flusso quindi per generare i campi magnetici usati per cambiare un dichiarare delle cellule di memoria.
