In an MRAM, a current with high current density flows in a line in write
operation. When write operation is to be performed with respect to a
memory cell existing at the intersection of a write word line and a bit
line, a current flows in the write word line from a WWL driver to a
voltage down converter. Thereafter, a current flows in the write word line
in a direction opposite to the direction of the current flowing in the
write operation, i.e., from the voltage down converter to the WWL driver.
The same applies to a bit line. For example, after write operation, a
current flows in the bit line in a direction opposite to the direction of
a current flowing in the write operation.
Σε ένα MRAM, ένα ρεύμα με τις υψηλές ροές πυκνότητας ρεύματος σε μια γραμμή γράφει μέσα τη λειτουργία. Όταν γράψτε ότι η λειτουργία πρόκειται να εκτελεσθεί όσον αφορά ένα κύτταρο μνήμης που υπάρχει στη διατομή γράψτε τη γραμμή λέξης και μια γραμμή κομματιών, ένα ρεύμα ρέει γράφει τη γραμμή λέξης από έναν οδηγό WWL σε μια τάση κάτω από το μετατροπέα. Έκτοτε, ένα ρεύμα ρέει γράφει η γραμμή ότι λέξης σε μια κατεύθυνση απέναντι από την κατεύθυνση της τρέχουσας ροής γράφει τη λειτουργία, δηλ., από την τάση κάτω από το μετατροπέα στον οδηγό WWL. Το ίδιο πράγμα ισχύει για μια γραμμή κομματιών. Παραδείγματος χάριν, μετά από γράψτε τη λειτουργία, ένα ρεύμα ρέει στη γραμμή κομματιών σε μια κατεύθυνση απέναντι από την κατεύθυνση μιας τρέχουσας ροής γράφει τη λειτουργία.
