A multivalue magnetoresistive read/write memory and method of writing to
and reading from such a memory. The invention has, inter alia, one or more
storage cells, each storage cell having two intersecting electric
conductors and a layer system comprising magnetic layers located at the
intersection of the electric conductors. The memory is characterized in
that the layer system is designated as a multilayer system with two or
more magnetic layers, wherein at least two of the magnetic layers have a
magnetization direction that can be set independently of one another.
Further, the magnetization direction of the individual layers may be
changed on the basis of the electric current flowing through the electric
conductors.
Μια magnetoresistive ανάγνωσεις-γραφής μνήμη multivalue και μια μέθοδος και από μια τέτοια μνήμη. Η εφεύρεση έχει, μεταξύ άλλων, ένα ή περισσότερα κύτταρα αποθήκευσης, κάθε κύτταρο αποθήκευσης που έχουν δύο τεμνόμενους ηλεκτρικούς αγωγούς και ένα σύστημα στρώματος που περιλαμβάνει τα μαγνητικά στρώματα που βρίσκονται στη διατομή των ηλεκτρικών αγωγών. Η μνήμη χαρακτηρίζεται δεδομένου ότι το σύστημα στρώματος υποδεικνύεται ως πολυστρωματικό σύστημα με δύο ή περισσότερα μαγνητικά στρώματα, όπου τουλάχιστον δύο από τα μαγνητικά στρώματα έχουν μια κατεύθυνση μαγνήτισης που μπορεί να τεθεί ανεξάρτητα από το ένα άλλο. Περαιτέρω, την κατεύθυνση μαγνήτισης των μεμονωμένων στρωμάτων μπορεί να αλλάξουν βάσει της ηλεκτρικής τρέχουσας ροής των ηλεκτρικών αγωγών.
