A four-conductor MRAM device comprising an array of memory cells, each of
the memory cells including a first magnetic layer, a dielectric, and a
second magnetic layer; a plurality of local column sense lines wherein one
is electrically connected to the first magnetic layer of the array of
memory cells; a plurality of local row sense lines wherein one of the
local row sense lines is electrically connected to the second magnetic
layer of the array of memory cells; a plurality of global column write
lines parallel to the plurality of local column sense lines; a plurality
of global row write lines parallel to the plurality of local row sense
lines; and wherein the plurality of local column sense lines and the
plurality of local row sense lines are connected to read data from the
array of memory cells and the plurality of global column write lines and
the plurality of global row write lines are connected to write data to the
array of memory cells.
Приспособление 4-provodnika MRAM состоя из блока ячейкы памяти, каждого ячейкы памяти включая первый магнитный слой, диэлектрика, и второго магнитного слоя; множественность местного чувства колонки выравнивает при котором одно электрически подключено к первому магнитному слою блока ячейкы памяти; множественность местного чувства рядка выравнивает при котором одна из местных линий чувства рядка электрически подключено к второму магнитному слою блока ячейкы памяти; множественность гловальной колонки пишет линии параллельные к множественности местных линий чувства колонки; множественность гловального рядка пишет линии параллельные к множественности местных линий чувства рядка; и при котором множественность местных линий чувства колонки и множественность местных линий чувства рядка подключены к прочитанным данным от блока ячейкы памяти и множественности гловальной колонки напишите линии и множественность гловального рядка напишите линии соединитесь для писания данных к блоку ячейкы памяти.
