A thin film field effect transistors and manufacturing method for the same
are described. The channel region of the transistor is spoiled by an
impurity such as oxygen, carbon, nitrogen. The photosensitivity of the
channel region is reduced by the spoiling impurity and therefore the
transistor is endowed with immunity to illumination incident thereupon
which would otherwise impair the normal operation of the transistor. The
spoiling impurity is not introduced into transistors which are located in
order not to receive light rays.
I transistori della pellicola sottile di effetto del giacimento ed il metodo di fabbricazione per lo stesso sono descritti. La regione della scanalatura del transistore è guastata da un'impurità quale ossigeno, il carbonio, azoto. Il photosensitivity della regione della scanalatura è ridotto dall'impurità guastante e quindi il transistore è dotato subito dopo d'immunità all'avvenimento di illuminazione che altererebbe al contrario il funzionamento normale del transistore. L'impurità guastante non è introdotta nei transistori che sono individuati per non ricevere i raggi luminosi.
