A thin film having a low dielectric constant is formed on a semiconductor
substrate by plasma reaction using a method including the steps of: (i)
introducing a reaction gas into a reaction chamber for plasma CVD
processing wherein a semiconductor substrate is placed on a lower stage;
and (ii) forming a thin film on the substrate by plasma reaction while
reducing or discharging an electric charge from the substrate surface. The
discharging can be conducted by forming in the reaction chamber a upper
region for plasma excitation and a lower region for film formation on the
substrate wherein substantially no electric potential is applied in the
lower region to suppress plasma excitation. An intermediate electrode is
used to divide the interior of the reaction chamber into the upper region
and the lower region. The discharge can also be conducted by lowering the
temperature of the lower stage to condense moisture molecules on the
substrate surface. Small nanoparticles can dispose on the substrate
without interference with an electric charge.
Une couche mince ayant une basse constante diélectrique est formée sur un substrat de semi-conducteur par la réaction de plasma en utilisant une méthode comprenant les étapes de : (i) présentant un gaz de réaction dans une chambre de réaction pour la CVD de plasma traitant où un substrat de semi-conducteur est placé sur une étape inférieure ; et (ii) formant une couche mince sur le substrat par la réaction de plasma tandis que la réduction ou la décharge d'une charge électrique du substrat apprêtent. La décharge peut être conduite en formant dans la chambre de réaction une région supérieure pour l'excitation de plasma et une région inférieure pour la formation de film sur le substrat où pratiquement pas de potentiel électrique est appliqué dans la région inférieure pour supprimer l'excitation de plasma. Une électrode intermédiaire est utilisée pour diviser l'intérieur de la chambre de réaction en région supérieure et région inférieure. La décharge peut également être conduite en abaissant la température de l'étape inférieure pour condenser des molécules d'humidité sur la surface de substrat. Les petits nanoparticles peuvent disposer sur le substrat sans interférence avec une charge électrique.
