There is provided a high-frequency GaAs power FET element with high
performance, capable of suppressing an abnormal oscillation. Thin film
resistors are provided so as to be connected electrically between incoming
distributed constant lines connected electrically to FET chips, and thin
film resistors are provided so as to be connected electrically between
outgoing distributed constant lines electrically connected to FET chips.
An unnecessary roundabout power is consumed by the thin film transistors
in the incoming distributed constant lines and the outgoing distributed
constant lines.
On équipe un élément à haute fréquence de FET de puissance de GaAs de rendement élevé, capable de supprimer une oscillation anormale. Des résistances de la couche mince sont fournies afin d'être relié électriquement entre les lignes constantes distribuées entrantes reliées électriquement aux morceaux de FET, et les résistances de la couche mince soient fournis afin de pour être reliés électriquement entre les lignes constantes distribuées sortantes électriquement reliées aux morceaux de FET. Une puissance inutile de rond point est consommée par les transistors de la couche mince dans les lignes constantes distribuées entrantes et les lignes constantes distribuées sortantes.
