The invention relates to a novel method for producing high-purity sulfuric
acid for use in the semiconductor industry. The method comprises the
addition of a hydrogen peroxide solution to an engineered oelum in order
to reduce the SO.sub.2 concentration, evaporation of the SO.sub.3 and
separation of acid traces. The high-purity SO.sub.3 is then enriched with
inert gas and the SO.sub.3 is absorbed into sulfuric acid.
Η εφεύρεση αφορά μια νέα μέθοδο για το high-purity θειικό οξύ για τη χρήση στη βιομηχανία ημιαγωγών. Η μέθοδος περιλαμβάνει την προσθήκη μιας λύσης υπεροξειδίου υδρογόνου σε ένα κατασκευασμένο oelum προκειμένου να μειωθούν η συγκέντρωση SO.sub.2, η εξάτμιση του SO.sub.3 και ο χωρισμός των όξινων ιχνών. Το high-purity SO.sub.3 είναι έπειτα εμπλουτισμένο με αδρανή αέριο και το SO.sub.3 απορροφάται στο θειικό οξύ.
