A semiconductor device which comprises a semiconductor substrate,
semiconductor pillar regions each having first and second semiconductor
pillar portions, the second semiconductor pillar portion being sandwiched
by the first semiconductor pillar portions, a base layer formed in the
second semiconductor pillar portion, a source diffusion layer formed in
the base layer, a gate insulating film formed on a portion of the base
layer, a gate electrode formed on the gate insulating film, and isolation
regions which isolates the semiconductor pillar regions from each other
and are formed in trenches between the semiconductor pillar regions,
wherein each of the isolation regions comprises an oxide film formed on an
inner surface of the trench and a nitride film formed on the oxide film,
the nitride film being filled in the trench, and a film thickness ratio of
the oxide film and the nitride film is in a range of 2:1 to 5:1.
Een halfgeleiderapparaat dat uit uit een halfgeleidersubstraat bestaat, gebieden elk die van de halfgeleiderpijler eerst en uit tweede gedeelten heeft van de halfgeleiderpijler, het tweede gedeelte die van de halfgeleiderpijler door de eerste gedeelten van de halfgeleiderpijler worden geklemd, een basislaag vormde zich in het tweede gedeelte van de halfgeleiderpijler, een bronverspreidingslaag die in de basislaag wordt gevormd, een poort isolerende film die op een gedeelte van de basislaag wordt gevormd, een poortelektrode die op de poort isolerende film wordt gevormd, en isolatiegebieden die isoleert de gebieden van de halfgeleiderpijler van elkaar en in geulen tussen de gebieden van de halfgeleiderpijler gevormd, waarin elk van de isolatiegebieden uit een oxydefilm bestaat die op een binnenoppervlakte van de geul wordt gevormd en de film, de nitridefilm de geul worden ingevuld, en een verhouding die van de filmdikte van de oxydefilm en de nitridefilm is in een waaier van 2:1 tot 5:1.
