A system for measuring plasma electon densities (e.g., in the range of
10.sup.10 to 10.sup.12 cm.sup.-3) and for controlling a plasma generator
(240). Measurement of the plasma density is essential if plasma-assisted
processes, such depositions or etches, are to be adequately controlled
using a feedback control. Both the plasma measurement method and system
generate a control voltage that in turn controls the plasma generator
(240) to maintain the plasma electron density at a pre-selected value. The
system utilizes a frequency stabilization system to lock the frequency of
a local oscillator (100) to the resonant frequency of an open microwave
resonator (245) when the resonant frequency changes due to the
introduction of a plasma within the open resonator. The amplified output
voltage of a second microwave discriminator may be used to control a
plasma generator (240).
Un système pour des densités de mesure d'electon de plasma (par exemple, dans la gamme de 10.sup.10 à 10.sup.12 cm.sup.-3) et pour commander un générateur de plasma (240). La mesure de la densité de plasma est essentielle si des processus plasma-aidés, de tels dépôts ou gravure à l'eau forte, doivent être en juste proportion commandés en utilisant une commande de rétroaction. La méthode et le système de mesure de plasma produisent d'une tension de commande qui commande alternativement le générateur de plasma (240) pour maintenir la densité d'électron de plasma à une valeur pré-sélectionnée. Le système utilise un système de stabilisation de fréquence pour fermer la fréquence d'un oscillateur local (100) à la fréquence de résonance d'un résonateur ouvert de micro-onde (245) quand les changements de fréquence de résonance dus à l'introduction d'un plasma dans le résonateur ouvert. La tension amplifiée de rendement d'un deuxième discriminateur à micro-ondes peut être employée pour commander un générateur de plasma (240).
