A plurality of word lines (WL1) are provided in parallel to one another and
a plurality of bit lines (BL1) are provided in parallel to one another,
intersecting the word lines (WL1) thereabove. MRAM cells (MC2) are formed
at intersections of the word lines and the bit lines therebetween. MRAM
cells (MC3) are provided so that an easy axis indicated by the arrow has
an angle of 45 degrees with respect to the bit lines and the word lines.
Thus, an MRAM capable of cutting the power consumption in writing is
achieved and further an MRAM capable of reducing the time required for
erasing and writing operations is achieved.
Una pluralidad de las líneas de la palabra (WL1) se proporciona en el paralelo a uno otro y una pluralidad de las líneas del pedacito (BL1) se proporciona en el paralelo a uno otro, intersecando las líneas de la palabra (WL1) thereabove. Las células de MRAM (MC2) se forman en las intersecciones de las líneas de la palabra y de las líneas del pedacito therebetween. Se proporcionan las células de MRAM (MC3) de modo que un eje fácil indicado por la flecha tenga un ángulo de 45 grados con respecto a las líneas del pedacito y a las líneas de la palabra. Así, un MRAM capaz de cortar el consumo de energía en la escritura se alcanza y más lejos un MRAM capaz de reducir el tiempo requerido para borrar y escribir operaciones se alcanza.
