The present invention, in one embodiment, relates to a process for
fabricating a semiconductor device that is less susceptible to performance
degradation caused by hydrogen contamination. The method includes the
steps for removing unwanted hydrogen bonds by exposing the hydrogen bonds
to ultraviolet radiation sufficient to break the bond and annealing in an
atmosphere comprising at least one gas having at least one atom capable of
forming bonds that replace the hydrogen bonds.
Η παρούσα εφεύρεση, σε μια ενσωμάτωση, αφορά μια διαδικασία για μια συσκευή ημιαγωγών που είναι λιγότερο ευαίσθητη στην υποβάθμιση απόδοσης που προκαλείται από τη μόλυνση υδρογόνου. Η μέθοδος περιλαμβάνει τα βήματα για την αφαίρεση των ανεπιθύμητων δεσμών υδρογόνου με την έκθεση των δεσμών υδρογόνου στην υπεριώδη ακτινοβολία επαρκή για να σπάσει το δεσμό και την ανόπτηση σε μια ατμόσφαιρα περιλαμβάνοντας τουλάχιστον το ένα αέριο έχοντας τουλάχιστον ένα άτομο ικανός τους δεσμούς που αντικαθιστούν τους δεσμούς υδρογόνου.
