To provide a semiconductor device, such as semiconductor laser, having no
need of complicated process, ensuring a high yield and mass-productivity
necessary for cost reduction, and exhibiting excellent initial
characteristics and reliability, nitride semiconductor layers containing a
plurality of group III elements are formed on a base body surface having
recess (opening) such that the nitride semiconductor layer varies in at
least one of composition ratio of the group III elements, band gap energy,
refractive index, electrical conductivity and specific resistance within
the layer in response to the recess of the base body. In addition, by
heating the structure in an atmosphere containing hydrogen and using a
layer containing Al as an etching stop layer, controllability and
production yield can be improved without influences from fluctuation in
etching depth, or the like. Further, etching and re-growth can be
conducted consecutively to provide an inexpensive process.
Pour fournir un dispositif de semi-conducteur, tel que le laser de semi-conducteur, n'ayant aucun besoin du processus compliqué, assurant un rendement et une masse-productivité élevés nécessaires pour la réduction des coûts, et exhibant d'excellentes caractéristiques et fiabilité initiales, des couches de semi-conducteur de nitrure contenant une pluralité d'éléments du groupe III sont formées sur une surface basse de corps ayant la cavité (ouverture) tels que la couche de semi-conducteur de nitrure change dans au moins une du rapport de composition des éléments du groupe III, de l'énergie d'espace de bande, de l'indice de réfraction, de la conductivité électrique et de la résistance spécifique dans la couche en réponse à la cavité du corps bas. En outre, en chauffant la structure dans une atmosphère contenant l'hydrogène et employant une couche contenant Al comme couche d'arrêt gravure à l'eau-forte, la contrôlabilité et le rendement de production peuvent être améliorés sans influences de fluctuation dans la profondeur gravure à l'eau-forte, ou analogues. De plus, graver à l'eau-forte et la recroissance peuvent être conduites consécutivement pour fournir un processus peu coûteux.
