The present invention discloses a novel insulating layer for use in
semiconductor devices, the insulating layer having a multi-layer
nanolaminate structure consisting of alternating boron nitride thin films
and silicon nitride thin films, each of a controlled, desired thickness,
together with methods for forming the same.
The insulating layer of the present invention has a multi-layer
nanolaminate structure consisting of alternating boron nitride thin films
and silicon nitride thin filmsformed by the steps of: (a) depositing a
silicon nitride thin film on a wafer, (b) depositing a boron nitride thin
film on the silicon nitride thin film, and (c) forming the multi-layer
nanolaminate thin film by alternately repeating steps (a) and (b).
Η παρούσα εφεύρεση αποκαλύπτει ένα νέο στρώμα μόνωσης για τη χρήση στις συσκευές ημιαγωγών, το στρώμα μόνωσης που έχει μια πολυστρωματική δομή nanolaminate που αποτελείται από τις εναλλασσόμενες λεπτές ταινίες νιτριδίων βορίου και τις λεπτές ταινίες νιτριδίων πυριτίου, κάθε ένα από ένα ελεγχόμενο, επιθυμητό πάχος, μαζί με τις μεθόδους για το ίδιο πράγμα. Το στρώμα μόνωσης της παρούσας εφεύρεσης έχει μια πολυστρωματική δομή nanolaminate που αποτελείται από τις εναλλασσόμενες λεπτές ταινίες νιτριδίων βορίου και το νιτρίδιο πυριτίου λεπτά από τα βήματα: (α) καταθέτοντας μια λεπτή ταινία νιτριδίων πυριτίου σε μια γκοφρέτα, (β) καταθέτοντας μια λεπτή ταινία νιτριδίων βορίου στη λεπτή ταινία νιτριδίων πυριτίου, και (γ) διαμορφώνοντας την πολυστρωματική λεπτή ταινία nanolaminate με διαδοχικά να επαναλάβει τα βήματα (α) και (β).
